MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 500 V, ID 17 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Código de producto RS: 920-6698Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STW20NK50Z
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

Type N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

17A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

TO-247

Tipo de soporte

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

270mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

85nC

Disipación de potencia máxima Pd

190W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura Máxima de Operación

150°C

Certificaciones y estándares

No

Ancho

5.15 mm

Longitud

15.75mm

Altura

20.15mm

Estándar de automoción

No

Datos del producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 500 V, ID 17 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

30

Disponible en múltiplos de 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

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Disponible en múltiplos de 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
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150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
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Encapsulado

TO-247

Tipo de soporte

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

270mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

85nC

Disipación de potencia máxima Pd

190W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura Máxima de Operación

150°C

Certificaciones y estándares

No

Ancho

5.15 mm

Longitud

15.75mm

Altura

20.15mm

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No

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