Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
85 nC a 10 V
Anchura
5.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 4.772
$ 4.772 Each (Sin IVA)
$ 5.679
$ 5.679 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 4.772
$ 4.772 Each (Sin IVA)
$ 5.679
$ 5.679 Each (IVA Inc.)
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Estándar
1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 4.772 |
| 10 - 24 | $ 4.316 |
| 25 - 99 | $ 4.064 |
| 100 - 499 | $ 3.229 |
| 500+ | $ 2.882 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
85 nC a 10 V
Anchura
5.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto


