Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
880 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
230000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
113 nC a 10 V
Anchura
5.15mm
Altura
20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 7.592
$ 7.592 Each (Sin IVA)
$ 9.034
$ 9.034 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 7.592
$ 7.592 Each (Sin IVA)
$ 9.034
$ 9.034 Each (IVA Inc.)
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Estándar
1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 7.592 |
| 10 - 99 | $ 6.473 |
| 100 - 499 | $ 5.213 |
| 500 - 999 | $ 4.599 |
| 1000+ | $ 3.906 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
880 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
230000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
113 nC a 10 V
Anchura
5.15mm
Altura
20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto


