MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 10.5 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Código de producto RS: 920-8859Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STW12NK80Z
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

750mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

190W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

87nC

Tensión directa Vf

1.6V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Ancho

5.15 mm

Altura

20.15mm

Longitud

15.75mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Datos del producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 10.5 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

30

Disponible en múltiplos de 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

750mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

190W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

87nC

Tensión directa Vf

1.6V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Ancho

5.15 mm

Altura

20.15mm

Longitud

15.75mm

Certificaciones y estándares

No

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No

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