MOSFET STMicroelectronics STW12NK80Z, VDSS 800 V, ID 10,5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 920-8859Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STW12NK80Z
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

10.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Series

MDmesh, SuperMESH

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

750 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

190000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

87 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.75mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

5.15mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

20.15mm

Datos del producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STW12NK80Z, VDSS 800 V, ID 10,5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

30

Disponible en múltiplos de 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

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Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

750 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

190000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

87 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.75mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

5.15mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

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