Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
11A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
800V
Series
MDmesh
Encapsulado
TO-247
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
400mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
43.6nC
Tensión directa Vf
0.86V
Disipación de potencia máxima Pd
150W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
5.15 mm
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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Especificaciones
Brand
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MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
11A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
800V
Series
MDmesh
Encapsulado
TO-247
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
400mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
43.6nC
Tensión directa Vf
0.86V
Disipación de potencia máxima Pd
150W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
5.15 mm
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
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