Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
150 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
43,6 nC a 10 V
Anchura
5.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 7.119
$ 7.119 Each (Sin IVA)
$ 8.472
$ 8.472 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 7.119
$ 7.119 Each (Sin IVA)
$ 8.472
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Estándar
1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 7.119 |
| 10 - 99 | $ 6.032 |
| 100 - 499 | $ 4.820 |
| 500 - 999 | $ 4.678 |
| 1000+ | $ 4.583 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
150 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
43,6 nC a 10 V
Anchura
5.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Datos del producto


