MOSFET STMicroelectronics STW11NM80, VDSS 800 V, ID 11 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
150 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Anchura
5.15mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Largo
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
43,6 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Altura
20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 169.620
$ 5.654 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 201.848
$ 6.728,26 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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30
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 60 | $ 5.654 | $ 169.620 |
| 90 - 480 | $ 4.517 | $ 135.510 |
| 510 - 960 | $ 4.021 | $ 120.630 |
| 990 - 4980 | $ 3.588 | $ 107.640 |
| 5010+ | $ 3.498 | $ 104.940 |
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Series
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
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Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Anchura
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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1
Largo
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Material del transistor
Si
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