Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
8.3A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1kV
Encapsulado
TO-247
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
1.38Ω
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
230W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
113nC
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
150°C
Profundidad
5.15 mm
Altura
20.15mm
Largo
15.75mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
8.3A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1kV
Encapsulado
TO-247
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
1.38Ω
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
230W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
113nC
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
150°C
Profundidad
5.15 mm
Altura
20.15mm
Largo
15.75mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
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