Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
900 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Anchura
5.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
72 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
$ 6.316
$ 6.316 Each (Sin IVA)
$ 7.516
$ 7.516 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 6.316
$ 6.316 Each (Sin IVA)
$ 7.516
$ 7.516 Each (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
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1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 6.316 |
| 10 - 24 | $ 5.717 |
| 25 - 99 | $ 5.387 |
| 100 - 499 | $ 4.300 |
| 500+ | $ 3.827 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
900 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Anchura
5.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
72 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto



