MOSFET STMicroelectronics STW10NK80Z, VDSS 800 V, ID 9 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 485-8572Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STW10NK80Z
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Series

MDmesh, SuperMESH

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

900 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

160000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Anchura

5.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

72 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.75mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

20.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 9$ 6.316
10 - 24$ 5.717
25 - 99$ 5.387
100 - 499$ 4.300
500+$ 3.827

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3

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

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Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Anchura

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Material del transistor

Si

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1

Largo

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Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

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