MOSFET STMicroelectronics STW10NK60Z, VDSS 600 V, ID 10 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
750 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
156 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
5.15mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
50 nC @ 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
15.75mm
Altura
20.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 5.201
Each (Sin IVA)
$ 6.189
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|---|---|
| 1 - 9 | $ 5.201 |
| 10 - 99 | $ 4.427 |
| 100 - 499 | $ 3.536 |
| 500 - 999 | $ 3.141 |
| 1000+ | $ 2.659 |
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N
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
750 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
156 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
5.15mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
50 nC @ 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
15.75mm
Altura
20.15mm
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-55 °C
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