Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsConfiguración de diodo
Single
Tipo de producto
Silicon Junction
Corriente directa máxima lf
8A
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
TO-263
Número de pines
3
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
50ns
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
1200V
Tensión directa máxima Vf
2.2V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
100A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Longitud:
10.4mm
Altura
4.6mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
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5
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Brand
STMicroelectronicsConfiguración de diodo
Single
Tipo de producto
Silicon Junction
Corriente directa máxima lf
8A
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
TO-263
Número de pines
3
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
50ns
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
1200V
Tensión directa máxima Vf
2.2V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
100A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Longitud:
10.4mm
Altura
4.6mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Estándar de automoción
No
Datos del producto