Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SO-8
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
21 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4mm
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.65mm
Volver a intentar más tarde
$ 2.890.000
$ 1.156 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 3.439.100
$ 1.375,64 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
$ 2.890.000
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$ 3.439.100
$ 1.375,64 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
2500
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SO-8
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
21 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4mm
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.65mm


