Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
6A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
20V
Encapsulado
SOIC
Serie
STripFET
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
2.5W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
8.5nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
12V
Tensión directa Vf
1.2V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
1.25mm
Largo
5mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Rollo)
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
6A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
20V
Encapsulado
SOIC
Serie
STripFET
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
2.5W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
8.5nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
12V
Tensión directa Vf
1.2V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
1.25mm
Largo
5mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto