Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
SOIC
Serie
DeepGate, STripFET
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
55mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
2.5W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
17nC
Tensión directa Vf
1.2V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
1.65mm
Longitud:
5mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
P.O.A.
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10
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
SOIC
Serie
DeepGate, STripFET
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
55mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
2.5W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
17nC
Tensión directa Vf
1.2V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
1.65mm
Longitud:
5mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


