Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Series
DeepGate, STripFET
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
55mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
2.5W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
17nC
Tensión directa Vf
1.2V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
4 mm
Altura
1.65mm
Largo
5mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 13.200
$ 1.320 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 15.708
$ 1.570,80 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)
Estándar
10
$ 13.200
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10
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 10 - 40 | $ 1.320 | $ 13.200 |
| 50 - 90 | $ 1.255 | $ 12.550 |
| 100 - 240 | $ 1.128 | $ 11.280 |
| 250 - 490 | $ 1.016 | $ 10.160 |
| 500+ | $ 965 | $ 9.650 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Series
DeepGate, STripFET
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
55mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
2.5W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
17nC
Tensión directa Vf
1.2V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
4 mm
Altura
1.65mm
Largo
5mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


