MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 5 A, Mejora, SOIC de 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
SOIC
Series
DeepGate, STripFET
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
55mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
2.5W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
17nC
Tensión directa Vf
1.2V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
150°C
Anchura
4 mm
Altura
1.65mm
Largo
5mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 1.910.000
$ 764 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 2.272.900
$ 909,16 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
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Series
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Superficie
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8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
55mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
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Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
17nC
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1.2V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
150°C
Anchura
4 mm
Altura
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Largo
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RoHS
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País de Origen
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Datos del producto
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