Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
DeepGate, STripFET
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
55 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 nC a 5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.65mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 13.200
$ 1.320 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 15.708
$ 1.570,80 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)
Estándar
10
$ 13.200
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10
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 10 - 40 | $ 1.320 | $ 13.200 |
| 50 - 90 | $ 1.255 | $ 12.550 |
| 100 - 240 | $ 1.128 | $ 11.280 |
| 250 - 490 | $ 1.016 | $ 10.160 |
| 500+ | $ 965 | $ 9.650 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
DeepGate, STripFET
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
55 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 nC a 5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.65mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


