MOSFET STMicroelectronics STS5NF60L, VDSS 60 V, ID 5 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Series
DeepGate, STripFET
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
55 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 nC a 5 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4mm
Largo
5mm
Altura
1.65mm
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 1.910.000
$ 764 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 2.272.900
$ 909,16 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
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SOIC
Series
DeepGate, STripFET
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
55 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 nC a 5 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4mm
Largo
5mm
Altura
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País de Origen
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STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
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