Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
Power MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
4A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
SOIC
Serie
STripFET
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
55mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
2W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
150°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
15nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Configuración de transistor
Isolated
Altura
1.25mm
Longitud
5mm
Certificaciones y estándares
No
Número de elementos por chip
2
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
Power MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
4A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
SOIC
Serie
STripFET
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
55mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
2W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
150°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
15nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Configuración de transistor
Isolated
Altura
1.25mm
Longitud
5mm
Certificaciones y estándares
No
Número de elementos por chip
2
Estándar de automoción
No
Datos del producto