MOSFET de potencia STMicroelectronics, Tipo N-Canal STS4DNF60L, VDSS 60 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.

Código de producto RS: 485-8358PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STS4DNF60L
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Series

STripFET

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

55mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

15 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Configuración de transistor

Isolated

Ancho

4 mm

Altura

1.25mm

Largo

5mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

Datos del producto

Dual MOSFET doble STripFET™ de canal N, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET de potencia STMicroelectronics, Tipo N-Canal STS4DNF60L, VDSS 60 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

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5

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30P.O.A.
35P.O.A.
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50P.O.A.
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SOIC

Series

STripFET

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

55mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

15 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Configuración de transistor

Isolated

Ancho

4 mm

Altura

1.25mm

Largo

5mm

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No

Número de elementos por chip

2

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No

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