MOSFET, Doble N-Canal STMicroelectronics STS1DNC45, VDSS 450 V, ID 0.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

Código de producto RS: 151-447Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STS1DNC45
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de canal

Dual N

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

450V

Tipo de Encapsulado

SO-8

Series

SuperMESH

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.5Ω

Modo de canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-65°C

Tensión directa Vf

1.6V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

País de Origen

China

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$ 6.870

$ 687 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

$ 8.175

$ 817,53 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)

MOSFET, Doble N-Canal STMicroelectronics STS1DNC45, VDSS 450 V, ID 0.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 6.870
20$ 13.740
30$ 20.610
40$ 27.480
50$ 34.350
60$ 41.220
70$ 48.090
80$ 54.960
90$ 61.830
100$ 65.200
110$ 71.720
120$ 78.240
130$ 84.760
140$ 91.280
150$ 97.800

$ 6.870

$ 687 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

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10

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20$ 13.740
30$ 20.610
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50$ 34.350
60$ 41.220
70$ 48.090
80$ 54.960
90$ 61.830
100$ 65.200
110$ 71.720
120$ 78.240
130$ 84.760
140$ 91.280
150$ 97.800

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Cinta
10 - 90$ 687$ 6.870
100 - 240$ 652$ 6.520
250 - 490$ 605$ 6.050
500 - 990$ 556$ 5.560
1000+$ 536$ 5.360

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Tipo de Encapsulado

SO-8

Series

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Surface

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8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.5Ω

Modo de canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

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30 V

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