MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics, VDSS 40 V, ID 10 A, Mejora, SOIC de 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type P
Corriente continua máxima de drenaje ld
10A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
40V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Series
STripFET
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
20mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
2.7W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
34nC
Tensión directa Vf
-1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
4 mm
Altura
1.5mm
Largo
5mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 2.570.000
$ 1.028 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 3.058.300
$ 1.223,32 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
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Type P
Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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SOIC
Series
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Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
20mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
2.7W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
34nC
Tensión directa Vf
-1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
4 mm
Altura
1.5mm
Largo
5mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
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