Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Tipo P
Corriente continua máxima de drenaje ld
10A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
40V
Serie
STripFET
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
20mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión directa Vf
-1.1V
Disipación de potencia máxima Pd
2.7W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
34nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud
5mm
Certificaciones y estándares
No
Altura
1.5mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
P.O.A.
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10
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Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Tipo P
Corriente continua máxima de drenaje ld
10A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
40V
Serie
STripFET
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
20mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión directa Vf
-1.1V
Disipación de potencia máxima Pd
2.7W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
34nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud
5mm
Certificaciones y estándares
No
Altura
1.5mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.