MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics STR2P3LLH6, VDSS 30 V, ID 2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type P
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
2A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
30V
Encapsulado
SOT-23
Series
STripFET
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
90mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
-1.1V
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6nC
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Longitud
3.04mm
Ancho
1.75 mm
Altura
1.3mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
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MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
2A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
30V
Encapsulado
SOT-23
Series
STripFET
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
90mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
-1.1V
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6nC
Temperatura Máxima de Operación
150°C
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No
Longitud
3.04mm
Ancho
1.75 mm
Altura
1.3mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
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