MOSFET STMicroelectronics STR2P3LLH6, VDSS 30 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 876-5702PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STR2P3LLH6
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Series

STripFET

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

90 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

350 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Largo

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6 nC a 4,5 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

1.75mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

1.3mm

Tensión de diodo directa

1.1V

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STR2P3LLH6, VDSS 30 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 50.

Producción -

Disponible en múltiplos de 50.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
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Series

STripFET

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

90 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

350 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Largo

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6 nC a 4,5 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

1.75mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

1.3mm

Tensión de diodo directa

1.1V

País de Origen

China

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MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics

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