MOSFET STMicroelectronics STR2P3LLH6, VDSS 30 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
1.75mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.3mm
Tensión de diodo directa
1.1V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Volver a intentar más tarde
$ 27.000
$ 540 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 32.130
$ 642,60 Each (In a Pack of 50) (IVA Inc.)
Estándar
50
$ 27.000
$ 540 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 32.130
$ 642,60 Each (In a Pack of 50) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
Estándar
50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 50 - 200 | $ 540 | $ 27.000 |
| 250 - 450 | $ 513 | $ 25.650 |
| 500 - 1200 | $ 461 | $ 23.050 |
| 1250+ | $ 460 | $ 23.000 |
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
1.75mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.3mm
Tensión de diodo directa
1.1V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos