Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.3A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
20V
Encapsulado
SOT-23
Serie
STripFET V
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
40mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
8V
Tensión directa Vf
1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
1.3mm
Longitud
3.04mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
1.75mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
P.O.A.
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10
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.3A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
20V
Encapsulado
SOT-23
Serie
STripFET V
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
40mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
8V
Tensión directa Vf
1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
1.3mm
Longitud
3.04mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
1.75mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.