Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.3A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
20V
Encapsulado
SOT-23
Series
STripFET V
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
40mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Tensión máxima de la fuente de la puerta
8 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6nC
Tensión directa Vf
1.1V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
150°C
Anchura
1.75 mm
Altura
1.3mm
Largo
3.04mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ V de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
P.O.A.
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10
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.3A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
20V
Encapsulado
SOT-23
Series
STripFET V
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
40mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Tensión máxima de la fuente de la puerta
8 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6nC
Tensión directa Vf
1.1V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
150°C
Anchura
1.75 mm
Altura
1.3mm
Largo
3.04mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ V de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


