Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Tipo de Producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.3A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
20V
Serie
STripFET V
Encapsulado
SOT-23
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
40mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-8, +8V
Tensión directa Vf
1.1V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6nC
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
1.75mm
Longitud:
3.04mm
Altura
1.3mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Volver a intentar más tarde
$ 3.340
$ 334 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 3.975
$ 397,46 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)
Estándar
10
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$ 3.975
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Estándar
10
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Tipo de Producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.3A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
20V
Serie
STripFET V
Encapsulado
SOT-23
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
40mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-8, +8V
Tensión directa Vf
1.1V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6nC
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
1.75mm
Longitud:
3.04mm
Altura
1.3mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.