Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.3A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
20V
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Series
STripFET V
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
40mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Tensión máxima de la fuente de la puerta
8 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6nC
Tensión directa Vf
1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
1.75 mm
Altura
1.3mm
Largo
3.04mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ V de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 1.596.000
$ 532 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 1.899.240
$ 633,08 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
$ 1.596.000
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$ 633,08 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
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3000
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.3A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
20V
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Series
STripFET V
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
40mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Tensión máxima de la fuente de la puerta
8 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6nC
Tensión directa Vf
1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
1.75 mm
Altura
1.3mm
Largo
3.04mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ V de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


