MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 20 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.3A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
20V
Encapsulado
SOT-23
Series
STripFET V
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
40mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
8 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6nC
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Tensión directa Vf
1.1V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
1.75 mm
Altura
1.3mm
Longitud
3.04mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ V de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Volver a intentar más tarde
$ 1.596.000
$ 532 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 1.899.240
$ 633,08 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
$ 1.596.000
$ 532 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 1.899.240
$ 633,08 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
3000
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.3A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
20V
Encapsulado
SOT-23
Series
STripFET V
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
40mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
8 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6nC
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Tensión directa Vf
1.1V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
1.75 mm
Altura
1.3mm
Longitud
3.04mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ V de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos