Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.3A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
20V
Encapsulado
SOT-23
Series
STripFET V
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
40mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Tensión máxima de la fuente de la puerta
8 V
Tensión directa Vf
1.1V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6nC
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
3.04mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
1.75 mm
Altura
1.3mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ V de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 3.340
$ 334 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 3.975
$ 397,46 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)
Estándar
10
$ 3.340
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$ 3.975
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Estándar
10
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.3A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
20V
Encapsulado
SOT-23
Series
STripFET V
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
40mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Tensión máxima de la fuente de la puerta
8 V
Tensión directa Vf
1.1V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6nC
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
3.04mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
1.75 mm
Altura
1.3mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ V de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


