
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Montaje
Surface
Tipo de Producto
Rectificador y diodo Schottky
Encapsulado
ECOPACK
Corriente continua máxima directa lf
10A
Tensión repetitiva inversa de pico Vrrm
100V
Serie
STPS
Configuración de diodo
Common Anode
Tipo de rectificador
Diodo rectificador
Número de pines
3
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
210A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Anchura
2.4mm
Altura
10.1mm
Largo
6.6mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El rectificador de trinchera Schottky de potencia DPAK de STMicroelectronics se basa en la tecnología de trinchera ST que logra la mejor compensación VF/IR incluida para una superficie de silicio dada.
Volver a intentar más tarde
$ 1.245.000
$ 498 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.481.550
$ 592,62 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
$ 1.245.000
$ 498 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.481.550
$ 592,62 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
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2500
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | $ 498 | $ 1.245.000 |
| 5000 - 5000 | $ 485 | $ 1.212.500 |
| 7500+ | $ 473 | $ 1.182.500 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Montaje
Surface
Tipo de Producto
Rectificador y diodo Schottky
Encapsulado
ECOPACK
Corriente continua máxima directa lf
10A
Tensión repetitiva inversa de pico Vrrm
100V
Serie
STPS
Configuración de diodo
Common Anode
Tipo de rectificador
Diodo rectificador
Número de pines
3
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
210A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Anchura
2.4mm
Altura
10.1mm
Largo
6.6mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El rectificador de trinchera Schottky de potencia DPAK de STMicroelectronics se basa en la tecnología de trinchera ST que logra la mejor compensación VF/IR incluida para una superficie de silicio dada.