Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
Diodo Schottky
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de Encapsulado
TO-220
Corriente continua máxima directa lf
4A
Tensión repetitiva inversa de pico Vrrm
650V
Configuración de diodo
Diodo Schottky de carburo de silicio
Series
STPSC
Tipo de Rectificador
SiC Schottky
Número de pines
2
Corriente inversa de pico lr
170μA
Tensión directa máxima Vf
1.3V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
385A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Ancho
10.4 mm
Largo
15.75mm
Altura
4.6mm
País de Origen
China
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P.O.A.
1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
Diodo Schottky
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de Encapsulado
TO-220
Corriente continua máxima directa lf
4A
Tensión repetitiva inversa de pico Vrrm
650V
Configuración de diodo
Diodo Schottky de carburo de silicio
Series
STPSC
Tipo de Rectificador
SiC Schottky
Número de pines
2
Corriente inversa de pico lr
170μA
Tensión directa máxima Vf
1.3V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
385A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Ancho
10.4 mm
Largo
15.75mm
Altura
4.6mm
País de Origen
China


