Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
Rectificador y diodo Schottky
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de Pack
TO-247
Corriente continua máxima directa lf
40A
Tensión repetitiva inversa de pico Vrrm
1200V
Configuración de diodo
2x Common Cathode Pair
Serie
STPS
Tipo de rectificador
Diodo rectificador
Número de pines
3
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
140A
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Largo
15.75mm
Altura
34.95mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
Datos del producto
El diodo SiC de STMicroelectronics está disponible en TO-247 y es un rectificador Schottky de potencia de muy alto rendimiento. Está fabricado con un sustrato de carburo de silicio. El material de banda ancha permite el diseño de una estructura de diodo Schottky de bajo VF con una tensión nominal de 1.200 V. Debido a la construcción de Schottky, no se muestra ninguna recuperación al apagar y los patrones de sonido son insignificantes. El comportamiento de apagado capacitivo mínimo es independiente de la temperatura.
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$ 633.660
$ 21.122 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 754.055
$ 25.135,18 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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30
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 90 | $ 21.122 | $ 633.660 |
| 120+ | $ 20.595 | $ 617.850 |
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STMicroelectronicsTipo de Producto
Rectificador y diodo Schottky
Tipo de Montaje
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Tipo de Pack
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Corriente continua máxima directa lf
40A
Tensión repetitiva inversa de pico Vrrm
1200V
Configuración de diodo
2x Common Cathode Pair
Serie
STPS
Tipo de rectificador
Diodo rectificador
Número de pines
3
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
140A
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Largo
15.75mm
Altura
34.95mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
Datos del producto
El diodo SiC de STMicroelectronics está disponible en TO-247 y es un rectificador Schottky de potencia de muy alto rendimiento. Está fabricado con un sustrato de carburo de silicio. El material de banda ancha permite el diseño de una estructura de diodo Schottky de bajo VF con una tensión nominal de 1.200 V. Debido a la construcción de Schottky, no se muestra ninguna recuperación al apagar y los patrones de sonido son insignificantes. El comportamiento de apagado capacitivo mínimo es independiente de la temperatura.
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