STMicroelectronics Diodo, STPSC10H12WL, Diodo Schottky, 10 A, 1200 V, DO-247, 2 pines

El diodo SiC, disponible en TO-220AC, DPAK HV, D²PAK y DO-247 LL, es un rectificador Schottky de potencia de rendimiento ultra-alto. Está fabricado con un sustrato de carburo de silicio. El material de separación de banda ancha permite el diseño de una estructura de diodo Schottky de VF baja con un valor nominal de 1.200 V. Gracias a la construcción Schottky, no se aprecia recuperación al apagarlo y los patrones de oscilación transitoria son insignificantes. El comportamiento del apagado capacitivo mínimo es independiente de la temperatura. Especialmente adecuado para usar en aplicaciones de lado secundario y PFC, este diodo SiC de ST impulsa el rendimiento en condiciones de conmutación difíciles. Este rectificador mejorará el rendimiento de la aplicación objetivo. Su alta capacidad de transitorios directos garantiza una buena solidez durante las fases de transitorios

• Sin recuperación inversa o insignificante
• Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
• Periferia de alta tensión sólida
• Funcionamiento de -40 °C a 175 °C
• Nivel de VF bajo