Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
72 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
$ 4.599
$ 4.599 Each (Sin IVA)
$ 5.473
$ 5.473 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 4.599
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$ 5.473
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Volver a intentar más tarde
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1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 4.599 |
| 10 - 24 | $ 4.158 |
| 25 - 99 | $ 3.922 |
| 100 - 499 | $ 3.134 |
| 500+ | $ 2.804 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
72 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto


