Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
8A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
900V
Encapsulado
TO-220
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
1.3Ω
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
72nC
Disipación de potencia máxima Pd
160W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.2V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
4.6 mm
Longitud
10.4mm
Altura
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 4.599
$ 4.599 Each (Sin IVA)
$ 5.473
$ 5.473 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 4.599
$ 4.599 Each (Sin IVA)
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Estándar
1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 4.599 |
| 10 - 24 | $ 4.158 |
| 25 - 99 | $ 3.922 |
| 100 - 499 | $ 3.134 |
| 500+ | $ 2.804 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
8A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
900V
Encapsulado
TO-220
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
1.3Ω
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
72nC
Disipación de potencia máxima Pd
160W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.2V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
4.6 mm
Longitud
10.4mm
Altura
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto


