Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
700 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.6mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
16.4mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 43.150
$ 863 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 51.348
$ 1.026,97 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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$ 51.348
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50
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
700 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.6mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
16.4mm
Datos del producto


