MOSFET STMicroelectronics STP9NK50Z, VDSS 500 V, ID 7,2 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
50
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N
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TO-220
Series
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Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Largo
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Anchura
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Material del transistor
Si
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1
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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