
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
55V
Serie
STripFET II
Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
6.5mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
142nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
4.6mm
Altura
9.15mm
Largo
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
2
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2
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
55V
Serie
STripFET II
Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
6.5mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
142nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
4.6mm
Altura
9.15mm
Largo
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.