MOSFET STMicroelectronics STP80NF12, VDSS 120 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 168-7519Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP80NF12
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

120 V

Series

STripFET

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

18 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Anchura

4.6mm

Largo

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

140 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

15.75mm

Datos del producto

STripFET™ de canal N, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 59.000

$ 1.180 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

$ 70.210

$ 1.404,20 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)

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Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

80 A

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STripFET

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

18 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Anchura

4.6mm

Largo

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

140 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

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