Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Series
STripFET II
Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
15mΩ
Modo de canal
Mejora
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
135nC
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
45W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Anchura
4.6 mm
Altura
9.3mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
2
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2
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Series
STripFET II
Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
15mΩ
Modo de canal
Mejora
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
135nC
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
45W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Anchura
4.6 mm
Altura
9.3mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


