Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
135 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.15mm
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
$ 1.307
$ 1.307 Each (Sin IVA)
$ 1.555
$ 1.555 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 1.307
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Corriente Máxima Continua de Drenaje
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Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
135 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.15mm
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


