Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
115 nC a 10 V
Ancho
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Altura
9.15mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
PRICED TO CLEAR
Yes
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
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STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
115 nC a 10 V
Ancho
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Altura
9.15mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
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Yes
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