Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
10A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
800V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Serie
MDmesh K6
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.6Ω
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
25.9nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El MOSFET de potencia de canal N de muy alta tensión de STMicroelectronics está diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en la tecnología de superunión. El resultado es la mejor resistencia de conexión de su clase por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
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P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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No
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El MOSFET de potencia de canal N de muy alta tensión de STMicroelectronics está diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en la tecnología de superunión. El resultado es la mejor resistencia de conexión de su clase por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
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