Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
10A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
800V
Encapsulado
TO-220
Serie
MDmesh K6
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.6Ω
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
25.9nC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El MOSFET de potencia de canal N de muy alta tensión de STMicroelectronics está diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en la tecnología de superunión. El resultado es la mejor resistencia de conexión de su clase por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
10A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
800V
Encapsulado
TO-220
Serie
MDmesh K6
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.6Ω
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
25.9nC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El MOSFET de potencia de canal N de muy alta tensión de STMicroelectronics está diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en la tecnología de superunión. El resultado es la mejor resistencia de conexión de su clase por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.