Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
55A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-220
Serie
STP
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
140W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
80nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30V
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
4.6mm
Largo
28.9mm
Certificaciones y estándares
UL
Anchura
10.4mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
El MOSFET de potencia de canal N de muy alta tensión STMicroelectronics se ha diseñado usando la última tecnología MDmesh K6 basada en 20 años de experiencia STMicroelectronics en tecnología de súper unión. El resultado es la mejor resistencia de conexión por área y carga de puerta de su clase para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia. Este MOSFET se recomienda para topología de retorno, aplicaciones basadas en iluminación de LED, cargadores y adaptadores. Proporcionan una mayor densidad de potencia, lo que reduce el coste de la lista de materiales y el tamaño de la placa.
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$ 18.760
$ 3.752 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 22.324
$ 4.464,88 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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Carga típica de puerta Qg @ Vgs
80nC
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30V
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Largo
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UL
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