MOSFET STMicroelectronics STP75NS04Z, VDSS 33 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 761-2928Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP75NS04Z
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

33 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Series

STripFET

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

11 mΩ

Modo de canal

Enhancement

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

110000 mW

Configuración de transistor

Single

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

50 nC a 10 V

Anchura

4.6mm

Altura

15.75mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

STripFET™ de canal N, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 7.275

$ 1.455 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 8.657

$ 1.731,45 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)

MOSFET STMicroelectronics STP75NS04Z, VDSS 33 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
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Estándar

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 7.275
10$ 12.290
15$ 18.435
20$ 24.580
25$ 30.725
30$ 36.870
35$ 43.015
40$ 49.160
45$ 55.305
50$ 61.450
55$ 67.595
60$ 73.740
65$ 79.885
70$ 86.030
75$ 92.175

$ 7.275

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5

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5$ 7.275
10$ 12.290
15$ 18.435
20$ 24.580
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30$ 36.870
35$ 43.015
40$ 49.160
45$ 55.305
50$ 61.450
55$ 67.595
60$ 73.740
65$ 79.885
70$ 86.030
75$ 92.175

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 5$ 1.455$ 7.275
10 - 95$ 1.229$ 6.145
100 - 495$ 951$ 4.755
500 - 995$ 806$ 4.030
1000+$ 677$ 3.385

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N

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Series

STripFET

Tipo de Montaje

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

11 mΩ

Modo de canal

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Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

110000 mW

Configuración de transistor

Single

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

50 nC a 10 V

Anchura

4.6mm

Altura

15.75mm

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