Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
75V
Encapsulado
TO-220
Serie
STripFET II
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
11mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
117nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
175°C
Profundidad
4.6 mm
Altura
9.15mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
75V
Encapsulado
TO-220
Serie
STripFET II
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
11mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
117nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
175°C
Profundidad
4.6 mm
Altura
9.15mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


