MOSFET STMicroelectronics STP75NF75, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 920-8840Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP75NF75
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

75 V

Series

STripFET II

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

11 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

117 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Anchura

4.6mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

9.15mm

Datos del producto

STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STP75NF75, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

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STripFET II

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

11 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

117 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Anchura

4.6mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

9.15mm

Datos del producto

STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

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