Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5.8A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
900V
Encapsulado
TO-220
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
2Ω
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.2V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
46.5nC
Disipación de potencia máxima Pd
30W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
4.6 mm
Longitud
10.4mm
Altura
9.3mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 51.050
$ 1.021 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 60.750
$ 1.214,99 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
$ 51.050
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50
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5.8A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
900V
Encapsulado
TO-220
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
2Ω
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.2V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
46.5nC
Disipación de potencia máxima Pd
30W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
4.6 mm
Longitud
10.4mm
Altura
9.3mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto


